Spintransport: Zusammenhang von Elektronen-/Spintransport und den Eigenschaften
der atomaren Struktur an der Grenzfläche von CoFeB/MgO/CoFeB Tunnelübergängen:
Was lernt man?
Neben den unten aufgeführten Themen wird der/die Bachelorstudent/-in Einblicke in die Funktionsweise und den Betrieb von Ultrahochvakuumanlagen, Techniken zur Dünnschichtherstellung, Mikrostrukturierung mittels optischer Lithographie oder E-beam und elektrische Charakterisierung sowie in die Grundlagen des Magnetismus' und des Spintransports in dünnen Schichten erhalten.
Themen:
Die Arbeitsgruppe beschäftigt sich mit dem Zusammenhang von Elektronen-/Spintransport und den Eigenschaften der atomaren Struktur an der Grenzfläche von CoFeB/MgO/CoFeB Tunnelübergängen. Diese Tunnelübergänge zeigen hohe Tunnelmagnetowiderstandswerte, d.h. dass der elektrische Widerstand stark von der Ausrichtung der Magnetisierung der beiden Elektroden abhängt. Aufgrund dieses großen Effektes sind diese Tunnelübergänge interessant für die Herstellung von Festplattenleseköpfen, magnetischem RAM's und Frequenzgeneratoren in Mobiltelefonen.